降低成本求生存 力晶茂德搶先推進70奈米製程

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【大紀元5月1日報導】(中央社記者張建中新竹一日電)今年來DRAM產品價格急遽滑落,目前已逼近廠商生產成本,推進製程技術、降低成本,成為各DRAM廠營運當務之急;國內DRAM廠以力晶、茂德製程技術推進速度最快,力晶70奈米512MbDRAM將於第二季量產,茂德70奈米也將於4月大量產。

根據集邦科技調查,今年來DDR2現貨價跌幅高達6成;包括力晶及茂德等DRAM業者證實,目前DRAM 價格已逼近公司生產成本,4月業績恐將落在損益兩平邊緣。

力晶副總經理暨發言人譚仲民曾表示,目前DRAM價格對於各DRAM製造廠將產生很大壓力,今年應是全球DRAM產業優勝劣敗關鍵的一年。

由於製程技術推進有助於DRAM製造廠降低成本,譚仲民即指出,70奈米製程材料成本增加有限,DRAM位元產出卻可望較90奈米製程增加達55%。茂德董事長陳民良也說,70奈米製程單顆成本效益逾3成,因此推進70奈米製程成為當前各DRAM廠營運重點。

集邦科技也表示,即便DRAM市場可望於第二季落底,不過70奈米製程技術良率及生產比重高低,將是攸關各DRAM製造廠下半年營運勝敗的一大關鍵。

觀察目前國內各DRAM廠製程技術推進情況,以茂德與力晶進度最快,其中茂德70奈米512Mb DDR2已於3月完成內部驗證作業,預計4月投片1.6萬片,至今年底公司中科三廠全產能月產6.5萬片,將全數轉進70奈米,另外公司中科四廠第四季也將以70奈米製程切入量產。

力晶目前70奈米製程試產良率已達8成以上水準,預計第二季70奈米512Mb DRAM將投入量產,70奈米1GbDRAM將於下半年投入量產。

華亞科為符合大股東兼大客戶奇夢達現行產品需求,公司決定下半年先行導入80奈米溝槽式製程技術,預計第四季進一步推進至70奈米製程;另外,南科首座自建12吋廠於今年下半年完工後,也將直接以70奈米製程切入生產,製程推進速度相對落後。

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