記憶體庫存壓力重 模組廠期待大廠減產

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【大紀元11月10日報導】(中央社記者張良知台北十日電)DRAM 行情持續不振,512Mb DDRII有效測試顆粒(eTT)報價維持 1美元以下價位,並一度觸及歷史低點,加上11月合約價持續走跌,記憶體模組業者庫存壓力擴大,業者期待DRAM大廠減產,才能使價格出現反彈,耶誕節需求也被業者寄予厚望。

根據集邦科技(DRAMeX-change)週五報價,512Mb DDRII有效測試顆粒報價持續走跌,均價0.96美元,最低點並一度觸及前波歷史低點0.95美元。累計第四季以來價格疲弱狀況未見改善,價格跌幅逾11%。

以國內DRAM廠今年積極擴產的情況來看,DRAM廠力晶、南科、華亞科及茂德今年共投入新台幣2300億元以上擴產,並將製程技術推進至70奈米;各廠今年DRAM位元產出同步大增逾65%,其中華亞科達110%增幅最大。

在國際大廠方面,南韓海力士今年位元產出也可望較去年倍增,業者估計今年國內外大廠DRAM位元產出,將較去年大增70%至80%水準。在Vista需求未如預期於第三季顯現下,DRAM市場明顯供過於求,價格頻頻破底,主流產品DDR2 512Mb ETT價格由去年底5.5美元,跌到目前不到 1美元,跌幅逾8成。

除了DRAM廠今年第二、三季業績明顯受到影響外,部分記憶體模組廠亦受到誤判行情影響而業績走低,其中指標性廠商威剛科技第三季每股稅後獲利僅0.99元,單季獲利明顯不如歷史傳統旺季水準。

威剛表示,由於錯判行情,今年第三季DRAM現貨市場旺季不旺,走勢不如內部預期,由於 9月下旬DRAM價格再跌1成,嚴重侵蝕DRAM產品毛利率,加上提列庫存跌價損失約2.21億元,使得第三季單季獲利不如歷史傳統旺季。

至於創見因NAND Flash比重較高,在蘋果iPhone及韓國廠商8月一度發生跳電事件帶動價格急漲下,第三季稅前盈餘11.84億元,創下單季新高,以33.79億元股本計算,每股盈餘3.5元;前3季營收289.93億元,稅前盈餘30.67億元,年增率54.35%,每股盈餘9.08元,獲利高居模組廠之冠。

不過,由於蘋果對NAND Flash需求高峰已過,NANDFlash 價格自8月高峰亦呈現下滑,加上DRAM跌破1美元關卡,並觸及0.95美元歷史低點,記憶體模組廠商的庫存壓力大增。

隨著產品價格大跌,DRAM廠營運普遍面臨虧損窘境,包括力晶、茂德及南科三家國內DRAM大廠今年第二季即合計虧損逾百億元,雖然第三季虧損金額縮小,但各DRAM廠已開始對2008年擴產計畫有所節制。

依法人說明會資料顯示,包括南科及華亞科2008年資本支出將同步降至 300億元,其中南科減少幅度高達5成,華亞科減少幅度約33%;茂德初步規劃明年資本支出約 8億美元,也將較今年減低57.3%。

威剛董事長陳立白近二個月來已多次反映期望DRAM國際大廠減產,否則DRAM價格反彈機會不大,若上游開始減產,最慢在明年第一季末前可出現反彈。

整體而言,在記憶體價格疲軟下,包括製造廠商及模組廠均承受不少跌價及庫存壓力,除了製造廠商明年已規劃降低資本支出外,模組廠商也大聲疾呼,期待國際大廠減產;此外,模組廠商也對耶誕節需求抱持期待,等待價格反彈降低庫存壓力。

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