【大紀元3月24日訊】（法新社東京二十三日電） 日本獨立產業技術總合研究所今天表示，它已發現能促進人工鑽石成長的技術，生產鑽晶半導體的目標已愈來愈近。

這個研究所表示，它已促成一顆鑽晶成長，速率和美國華盛頓卡內基研究所去年所宣布的速率相同。領導獨立產業技術總合研究所鑽石研究小組的堀野裕治說，他們認為這應該有助於日本在發展鑽晶半導體的領域上，更具有競爭力。　　　　

與目前普遍運用在電腦晶片和其他電子裝置方面的矽晶相比，鑽石因具有高度的熱傳導性及機械強度而被視為是下一代的半導體物質。

前述日本研究所為促使人工鑽石成長，加熱甲烷、氫和氮氣以生產電漿，再引導後者流過一顆放置在熱板上的微小鑽晶。結果是，這顆四釐米乘四釐米乘零點五釐米的種子鑽晶在五十五小時之內，成長到七釐米乘七釐米乘二點八釐米大。　

獨立產業技術總合研究所說，這種成長速度比日本現行的傳統方法快五倍。　

堀野表示：「我們濃縮了電漿，並以氣體內容比例進行實驗。這項結果是我們發展大鑽晶努力上的一大步。」他希望「五年內」能看到鑽晶半導體研發作業出現重大轉捩點。　　

堀野說，研究所的目標是應用這項技術，研發生產一吋大的鑽石半導體晶圓。鑽晶至少要成長到十釐米乘十釐米大，才能運用在工業上。(//www.dajiyuan.com)