竊取GE商業機密 美華人工程師被判罰5千元

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【大紀元2021年05月01日訊】(大紀元記者蔡溶美國紐約報導)紐約上州尼斯卡尤納市(Niskayuna)現年43歲的隋楊(Yang Sui,音譯),因涉嫌盜竊通用電氣(GE)的商業祕密,昨天(4月30日)被判處1年緩刑(守行為一年),並支付5,000美元的罰款。

半導體工程師隋楊去年在紐約北區聯邦法庭認罪,承認他在2015年至2017年間,竊取了多個電子文件,其中包含通用電氣公司圍繞其碳化硅金屬(MOSFET)的研究、開發、設計和製造所擁有的商業祕密。

MOSFET代表金屬氧化物半導體場效應晶體管,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。根據起訴書,碳化硅MOSFET被用於通用電氣的各種零件和產品,包括航空設備和風力渦輪機。

隋楊進一步承認,大約在2017年,他正在制定商業計畫,準備創辦自己的公司,該公司的目標是製造和銷售MOSFET。

不過,沒有證據表明隋楊將MOSFET的商業機密轉移給了其他任何人。

聯邦調查局對此案進行了調查,並由國家安全局隸屬的司法部反情報和出口管制科負責起訴。

責任編輯:李薇

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