【大紀元2021年05月01日訊】（大紀元記者蔡溶美國紐約報導）紐約上州尼斯卡尤納市（Niskayuna）現年43歲的隋楊（Yang Sui，音譯），因涉嫌盜竊通用電氣（GE）的商業祕密，昨天（4月30日）被判處1年緩刑（守行為一年），並支付5,000美元的罰款。

半導體工程師隋楊去年在紐約北區聯邦法庭認罪，承認他在2015年至2017年間，竊取了多個電子文件，其中包含通用電氣公司圍繞其碳化硅金屬（MOSFET）的研究、開發、設計和製造所擁有的商業祕密。

MOSFET代表金屬氧化物半導體場效應晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。根據起訴書，碳化硅MOSFET被用於通用電氣的各種零件和產品，包括航空設備和風力渦輪機。

隋楊進一步承認，大約在2017年，他正在制定商業計畫，準備創辦自己的公司，該公司的目標是製造和銷售MOSFET。

不過，沒有證據表明隋楊將MOSFET的商業機密轉移給了其他任何人。

聯邦調查局對此案進行了調查，並由國家安全局隸屬的司法部反情報和出口管制科負責起訴。

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