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【大紀元6月1日訊】日前，英特爾的研究人員已經幵發出全球最小的SRAM(靜態隨机存儲器)單元，尺寸衹有1平方微米。這种52MB的單元可充當SRAM設備的构成模塊。

　　賽迪網6月1日報道，英特爾將采用下一代90納米工藝來制造這种SRAM單元。該公司表示，這一成就是通向預計在2003年采用的新生產工藝的里程碑。英特爾技術和制造集團的高級副總裁和總經理Sunlin Chou表示，SRAM芯片通常都被當成發展下一代邏輯生產工藝的測試載体。

　　Chou指出，小尺寸的存儲單元非常重要，因為它可以使英特爾在微處理器上采用更大容量的緩存和增加整体邏輯密度，減少提升微處理器性能所需的成本。此外，上述SRAM芯片還成功地全面展示了90納米工藝。Chou說：“英特爾的1平方微米SRAM單元為硅技術建立了一個新的密度基准。這一成就使我們在用于微處理器和其他產品的90納米工藝上搶占了先机。”

　　英特爾表示，通過采用90納米工藝，它可以繼續保持每兩年采用新一代制造工藝的技術更新速度。該公司將采用90納米工藝生產其大部分產品，包括微處理器，芯片組，以及通信產品。英特爾計划僅在300MM硅晶圓上采用90納米工藝，結合使用先進的193納米和248納米光刻工具。
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