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【大紀元5月1日訊】貝爾實驗室(Bell Labs)的科學家近日宣布，已發現一种新方法，可深入檢視半導體內部，并顯示硅中單一雜質原子的影像。這种技術突破可協助科學家了解，雜質對微芯片屬性的影響。

賽迪网4月30日消息,深入原子層級探析半導體的內部，對設計未來的制程技術非常重要，因為以后的高速電子裝置，如微處理器等，都需要能縮小尺寸的制程技術，才能延續摩爾定律的不斷發展。

摩爾定律最初由英特爾公司共同創辦人Gordon Moore于1965年提出，指半導體上的晶體管數目，大約每隔18個月就會增加一倍，而面積縮小50%。

貝爾實驗室說，這是歷年來，單一雜質粒子可在不受干擾的情況下，可攝得照片，用的是一种特殊的電子顯微鏡。貝爾實驗室說，這是一大壯舉，難度有如遙望月球表面的一枚腳印。

描述研究結果的一篇文章，也刊登在本月25日出刊的“自然”(Nature)雜志上。

貝爾實驗室原料研究部主任Elsa Reichmanis說，隨著芯片愈來愈縮小，了解并拍攝裝置內部的化學和物理環境愈發重要，因為那些化學和物理性質終會決定晶體管和連結線的尺寸能縮小的程度。

所謂雜質，或摻雜物(dopants)，是刻意引進硅片中，用來提供控制芯片電屬性的載子(charge carriers) 。但隨著芯片組件持續隨摩爾定律而縮小，半導體工業將達到一個臨界點，屆時一些雜質的原子可能決定某特定裝置的功能表現。

貝爾實驗室說，此技術極為敏銳，且能适用于几乎任一种材質，不局限于半導體。

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