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【大紀元3月14日訊】英特爾（Intel）今天宣布開發出全球首顆面積僅一平方微米、採用90納米（0.09微米）工藝技術的SRAM（靜態隨機存取記憶體）芯片，內含3億3000萬組晶體管，符合摩爾定律每18至24個月晶體管數目便增加一倍。而英特爾90納米的工藝也將使用下在一版本的Pentium 4微處理器。

中央社報道﹐英特爾這項還屬實驗性質的SRAM電路元新芯片技術，也在最近開幕的德國漢諾瓦 CeBIT電子展中展出。這款英特爾研發人員製造出的52 MB芯片，能儲存5200萬比特的資料，且能在小於一角美元的硬幣的109平方微米空間中，容納3億3000萬組晶體管，這也是有史以來容量最大的SRAM芯片。

英特爾資深副總裁暨技術與製造事業群總經理周尚林表示，英特爾的1平方微米SRAM電路元為芯片技術創下新的密度指標，這項技術讓英特爾能領先90納米工藝技術，應用在微處理器與其它產品上。

周尚林強調，透過新推出的90納米工藝技術，英特爾可繼續保持每隔二年推出新世代工藝的紀錄。

英特爾透露，90納米工藝將是邁向2003年建置投產新工藝的里程碑，會用在下一版代號為“Prescott”的Pentium 4處理器，以及芯片組、通訊等產品，並計畫在12吋晶圓採用90納米技術。

之前，英特爾最先進的工藝是130納米（0.13微米），未來採用90納米工藝，英特爾將可把處理器的體積減半，或者在芯片上加入更多功能，因為同一體積內可增加近一倍的晶體管。(//www.dajiyuan.com)

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