台灣完成9奈米超節能記憶體

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【大紀元12月14日報導】(中央社記者楊淑閔台北14日電)國家實驗研究院奈米元件實驗室(NDL)已開發出全球最小9奈米功能性電阻式記憶體(R-RAM)陣列晶胞,容量比現行快閃記憶體增加20倍,耗電量降低約200倍,5到10年將量產。


國家實驗研究院奈米元件實驗室奈米生醫與微機電元件組組長何家驊團隊,開發出全球最小9奈米超節能記憶體,容量比現行快閃記憶體增20倍,耗電降低約200倍。(中央社)

國研院長陳文華、交通大學校長吳重雨、國研院奈米元件實驗室主任楊富量,以及負責國研院奈米元件實驗室開發「9奈米超節能記憶體」的NDL奈米生醫與微機電元件組組長何家驊今天召開記者會,公布這項重大研究成果。

何家驊指出,目前的傳統快閃記憶體從2004年的90奈米持續發展,2010年已開發到32奈米,預計2011年將開發出22奈米;但是2013年將面臨技術瓶頸,只剩多層堆疊IC及電阻式記憶體兩種技術可持續使用、開發。

他說,他的研究團隊開發出的9奈米功能性電阻式記憶體(R-RAM)陣列晶胞,是利用三氧化鎢、二氧化鎢及鎢電極的新混合結構,以及氧原子推動低耗電原理,開發出全球目前最小的9奈米R-RAM,容量比現行快閃記憶體增加約20倍,耗電量則降低約200倍。

他強調,這種新記憶體可在幾乎不需耗電的情況下,在1平方公分、僅約拇指指甲大小的面積內儲存1個圖書館的文字資料(約等同100小時3D立體電影、200小時DVD影片、10萬首MP3、100萬張照片);且可再藉立體堆疊設計,進一步提升容量,讓資訊電子產品的輕薄短小化有無限發揮的可能性,包含筆電都將輕薄化。

這項重要開發成果,已於12月8日在美國舊金山舉行的國際電子元件會議(IEDM)正式發表,引起國際微電子產學研界高度重視,更被大會選為重點宣傳論文之一,並被其他國外電子領域專業協會如電機電子工程師協會 (IEEE)、日本經濟新聞(BP)等列為重要報導。

何家驊預計,這項新技術5到10年內量產,可讓目前全球新台幣1兆元的傳統快閃記憶體產值達2兆元,並讓只是代工、需付權利金,使得產值僅占全球產值1%不到的台灣快閃記憶體產值占比提升到占全球產值的10%。

為達這些目標,何家驊說,NDL將在明年與產學研界共組「16-8奈米元件聯盟」,以其近年來所開發的奈米技術為基礎,提供台灣產學研界研發平台,加速互補式金屬/氧化層/半導體 (CMOS)元件與記憶體元件的技術開發,並厚植台灣半導體科技的人才基礎。

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