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【大紀元6月15日訊】 美國Rambus公司于2001年6月13日公布了以實現高性能為目的的個人電腦主內存Direct RDRAM的開發計划。將把Direct RDRAM元件及Direct Rambus通道的工作頻率從現在的800MHz提高到1066MHz（PC1066 RDRAM）及1200MHz（PC1200 RDRAM）。然后將內存模塊（RIMM：Rambus in-line memory module）的數据位寬由現在的16位增加至32位或者64位（照片為64位RIMM的試制品）。

2005年，配備PC1200 RDRAM的64位RIMM將進入實用階段，屆時主內存的數据傳送速度將由現在Direct Rambus的最大1.6GB/秒提高到最大9.6GB/秒。

此次Direct RDRAM的高性能化，基本上以現行的16位Direct Rambus通道技術為基礎，1）采用基于微加工工藝技術的高速Direct RDRAM元件；2）在提高RIMM的數据位寬的同時不增加引腳數；3）使RIMM及RIMM連接卡的大小同現在的184引腳模塊保持一致；4）可安裝在4層布線的低价位主板上等等。從技術角度看，其特點是通過擴展Direct RDRAM的性能來實現其高性能的。

Rambus認為，隨著今后個人電腦微處理器性能的提高，對CPU－主內存之間的數据傳輸速度的要求也將越發強烈，正是基于這种認識，該公司宣布了今后內存方面的發展規划。

對于Rambus的計划，作為內存厂商已經有韓國三星電子（Samsung Electoronics）、Elpida Memory、東芝表示將向其提供PC1066 RDRAM、PC1200 RDRAM。上述厂家現在已經可以使用0.17μ～0.18μm技術生產PC1066 RDRAM，并且計划在2002年初推出0.13μ～0.15μm技術之后，在2002年中期開始批量生產PC1066 RDARAM。另外，上述厂家計划在0.11μ～0.12μ技術推出之后于2004年開始生產PC1200 RDRAM，并將于2005年開始批量生產。

32位RIMM通過在1個RIMM上安裝兩個16位Direct Rambus通道來實現32位數据位寬。其中通道部分配備有終端電阻，由此將32位RIMM的引腳數量控制在232個。64位的RIMM配置4個通道，其中2個通道配置終端電阻，引腳數為330個。

對此，美國英特爾表示“個人電腦的主內存速度將在今后5年得到提高，對于用戶來講是非常可喜之事。英特爾將根据內存厂商的產品提供狀況采取相應措施。但是，英特爾并沒有宣布芯片組等具體計划。

今后，英特爾計划把Pentium 4的外部總線頻率由現在的400MHz提高到566MHz，預計到那時對PC1066 RDRAM的需求將會提升。但是，關于2004年以后的新一代個人電腦用主內存元件，英特爾已經和多家內存厂商一起成立了ADT（advanced DRAM technology）國際團體，正在制定与Rambus不同的標准。因此也有業內人士認為PC1200 RDRAM被市場接受的可能性較小。

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