【大紀元2月27日訊】英特爾廿六日表示，半導体未來趨勢將在追求体積更小、更高速下，CMOS工藝技術仍將占有优勢，但將持續轉進0.13微米与十二寸晶圓厂，而晶片產出數量將會是八寸、0.18微米的四倍。英特爾并表示，与超微、美光、Infineon等大厂共同開發的极紫外線（EUVL ），可望于二○○五年導入量產。

据雅虎中文网報道，英特爾技術与制造事業群專業顧問（Fellow ）Paolo Gargini在開發者論壇（ＩＤＦ）會前會中表示，身為英特爾創辦人之一的摩爾所提出的半導体定論中顯示，電晶体体積每隔二年便會縮小三成，因此每片晶圓晶片產出數量將增為二倍，并節省一半成本，而效能也將至少提升三成，雖然許多人都認為摩爾定律將被打破，但目前為止半導体發展均按照此定律進行，估計二○○五年制程技術將由現今的0.18微米提升到0.07微米，溝道長度（Gate Le ngth）也將由0.13微米縮減微0.03微米。

不過Gargini表示，以目前半導体制程中的步進机（Stepper）演變為掃描机（Scanner）曝光技術來看，無法因應未來0.1微米以下工藝需求，因此英特爾、超微、摩托羅拉、Inf ineon与美光（Micron）等五家公司共同合作開發EUVL，并在三個國家實驗室研發，英特爾估計由最原始技術開發到量產將耗時十年時間，估計二○○五年才會由這些領導厂商導入量產，屆時將順利使相當微小的電路線圖也能顯影在晶圓上，并將制程導入0.1微米以下，再次驗証摩爾定律。也由于制程技術不斷提升，Gargini表示，過去快閃記憶体容量提升為二倍需要二年時間，一九九九年開始已縮短為十八個月。

除了開發先進制程外，Gargini表示，目前已以0.13微米工藝成功試產出Pentium3，合計有八座工厂導入0.13研發，緊接著Pen tium4也將在第四季導入，并成為明年主力制程技術。Gargini指出，英特爾同時也是全球首家投入十二寸厂建厂者，因此0.13微米工藝今年先由八寸厂率先啟動、明年開始將會引進到十二寸的奧勒崗新厂。Gargini表示，工藝由0.18增為0.13微米、八寸到十二寸晶圓厂轉進下，將分別增加二倍產能，因此合計每片晶圓產出顆粒數將增為四倍，后續英特爾所有新產品都將以0。13微米工藝為基礎設計。