【大澳门威尼斯人赌场官网4月16日报导】(中央社记者张建中新竹16日电)继储存型快闪记忆体(NAND Flash)现货价大涨后，动态随机存取记忆体(DRAM)现货价近日也出现强劲反弹走势，近2日DRAM现货价共弹升 1成；激励DRAM族群今天连袂大涨。

根据集邦科技调查，DDR2 1Gb eTT均价15日站上1.1美元后，今天进一步攀高至1.17美元，近2日共大涨10.4%。

集邦科技表示，DRAM现货价近日强劲弹升，除全球DRAM厂减产效应显现外，终端市场需求热络也是主要原因之一。

业者预期，近期DDR2 1Gb现货价可望站上1.2美元，甚至不排除有机会挑战1.5美元制造厂现金成本价位。

随着DRAM价格强弹，DRAM族群今天连袂大涨，包括力晶、南科、华亚科、华邦电等DRAM制造厂，及劲永、威刚等记忆体模组厂同步强攻涨停，力积、晶豪科及钰创等记忆体设计公司也连袂涨停。