工研院与4家DRAM厂合作 开发相变化记忆体
【大澳门威尼斯人赌场官网7月12日报导】(中央社记者何易霖新竹十二日电)工业技术研究院电子所今天与力晶半导体、南亚科技、茂德科技、华邦电子4家台湾DRAM厂商签署新世代相变化记忆体技术与产品合作协定,预计以3年的时间,投入新台币1.2亿元,发展这项极具潜力的记忆体新技术,抢进2008年超过新台币百亿元规模的相变化记忆体产品市场。
签约仪式由经济部长何美玥与工研院长李钟熙见证,电子所所长陈良基与力晶总经理谢再居、南亚科总经理连日昌、茂德副总经理唐亦仙、华邦副总经理林晨曦共同签订。
何美玥致词时表示,台湾记忆体产值2004年达新台币2300亿元,全球市占率逾 20%,仅次于南韩,是台湾相当重要的电子产业之一,此次 4家台湾主要DRAM厂与工研院签订新世代相变化记忆体技术与产品合作协定,开启台湾记忆体厂商首度合作开发前瞻技术的先例。
何美玥指出,政府一向支持指标性产业,鼓励业界和学研机构组成研发联盟,建立下世代前瞻创新产业技术,同时政府也非常乐意提供政策、环境,甚至经费上的协助,期许 4家DRAM厂能藉由这次合作,齐心协力与南韩三星电子抗衡,缔造世界第一的佳绩。
电子所所长陈良基表示,相变化记忆体 (PhaseChange Memory, PCM,或称Ovonic UniversalMemory,OUM) 是利用特殊“相变化材料”的一种新兴记忆体技术,具有高速度、低耗电、功能强等特性,是最被看好取代当前的DRAM与 FLASH,具有“终极记忆体”架势的技术与产品。
陈良基指出,目前全球仅有韩国三星、美国 Intel、欧洲STMicroelectronics等厂商投入相变化记忆体研究,但整体技术尚未纯熟,也还没有商品化产品问世;台湾方面,电子所已投入总经费 1.6亿元进行相关技术研发。
参与联合研发的 4家DRAM厂均认为,单一公司要发展下世代的记忆体技术,投入的人力、经费所费不赀,此次合作可有效分散风险,成功的概率与成本效益均相对提高,并有助建立台湾创新研发能力,掌握关键技术。
根据协议,未来4家DRAM厂将在3年各自投入3000万元进行技术研发工作,合计约 1.2亿元的资金,进行可携式电子产品应用开发,预计2007年可望产出百万位元级相变化记忆体产品,抢进2008年超过百亿、2012年成长至逾千亿元的市场。