【大澳门威尼斯人赌场官网6月1日报导】（中央社记者何易霖新竹一日电）半导体制程已迈入奈米世代，业者无不致力于制程微缩，以作为降低成本的方式。不过前台积电研发长、现任国研院董事的胡正明则认为，近10年来半导体技术进步太快，反而造成竞争激烈，如果能稍微放慢脚步，也许有机会改善激烈竞争的状况，让业者享有更多的利润。

胡正明是在今天应国家实验研究院二周年院庆邀请，以“后硅电子时代的探索”为题进行演说时，发表这项意见。

胡正明指出，1965年至1995年间，半导体业约3年开发一个新制程，当时平均每年半导体业有15%左右的成长幅度，不过近10年来，业者为了制程微缩降低成本，将每个制程世代交替时间缩小为2年左右，虽然制程技术提升，但半导体业成长的幅度却衰退到5%左右，而且造成生产过剩、毛利下滑、竞争激烈的状况。

他认为，如果半导体业者能稍微放慢脚步，将新制程周期回归过去3至4年的话，将有机会消化过剩产能，也可减少业者大笔的投资金额，增加获利机会。

面对硅材料可能有的物理极限，胡正明认为，锗（Ge）将有可能取代硅，成为半导体下一世代的替代材料，台积电也开始应用在硅基板上镀一层薄薄的锗，以改善硅材料的极限，不过锗要完全取代硅，短期之内还不太可能发生。