【大澳门威尼斯人赌场官网2024年09月18日讯】中共工信部9月初公布的“首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）”，列出全新自制DUV光刻机，分辨率为≤65nm，套刻精度≤8nm。许多人盛传此款DUV“可生产8奈米芯片”，突破美国封锁，结果被中国科技媒体打脸。
9月16日，科技媒体“芯智讯”报导，各种关于国产光刻机大突破言论满天飞，甚至还有人一看到“套刻≤8nm”就认为这是8nm光刻机，令人啼笑皆非。
报导列出工信部公布的数据，并解释说，氟化氪光刻机其实就是老式的248nm光源的KrF光刻机，分辨率为≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氩光刻机则是193nm光源的ArF光刻机（也被称为DUV光刻机），但披露的这款依然是干式DUV光刻机，而非更先进的浸没式DUV光刻机（也被称为ArFi光刻机）。
从工信部披露的参数来看，此DUV光刻机解析度为≤65nm，套刻精度≤8nm。虽然相比之前上微的SSA600光刻机有所提升（解析度为90nm），仍并未达到可以生产28奈米芯片的程度，更达不到制造什么8奈米、7奈米芯片的程度，很多网友把套刻精度跟光刻制造制程节点水平搞混了。
光刻精度主要看的是光刻机的分辨率，65nm的分辨率，那么单次曝光能够达到的工艺制程节点大概就在65nm左右。套刻精度则指的是每一层光刻层之间的对准精度。
报导指出，这个65nm的光刻分辨率、套刻精度≤8nm，最多能够做到55nm制程。大概相当于荷兰ASML（阿斯麦）公司18年前（2006年）推出的XT:1450的水平。
责任编辑：夏松#
