【大澳门威尼斯人赌场官网2023年04月26日讯】（大澳门威尼斯人赌场官网记者侯骏霖台湾台北报导）国科会为提升台湾智慧制造的核心技术，积极推动次世代关键技术的研发。台大机械系教授陈亮嘉26日表示，跨国团队运用深紫外宽频光源作为光学侦测，藉由机器学习演算，针对多项关键尺寸量测突破技术瓶颈，开口尺寸可达次微米、深宽比达15倍，超越全球半导体封装界所需的技术指标。

随着半导体产业的发展，带动积体电路（IC）持续往更小的尺寸发展，各项技术不断地推陈出新。陈亮嘉说，在IC封装的立体化趋势中，3D封装与3D ICs的核心要角“硅穿孔（TSV)）”是非常有挑战性的量测对象。

他说，硅穿孔通常用于晶片间的垂直整合，为先进封装的关键技术，其制程初期的蚀刻阶段会在硅基板上形成数量极多且高深宽比的盲孔，但盲孔的深度、直径、侧壁粗糙度、甚至孔底形貌等，将直接影响成品的导电特性、制程良率优劣。

陈亮嘉指出，这些直径仅达微米、甚至次微米等级，其深宽比又普遍大于10倍的细长孔，目前一线的量测技术已难以获得令人满意的量测能力与效率；根据SEMI未来5年的技术需求预测，次微米孔的深宽比会继续增加至15倍或更高，为急需突破的关键技术。

研究团队整合台大、阳明交大、台科大、北科大、国研院台湾仪器科技研究中心，以及国际一线半导体制造业者等厂商，成功运用自动化光学技术创新、高精密量测平台、光机设备核心技术、人工智慧AI算法，建立半导体自动光学检测技术。

陈亮嘉表示，这次以创新光学量测原理，利用紫外宽频光源作为光学侦测，成功突破多项关键尺寸量测瓶颈，开口尺寸可达次微米、深宽比达15倍，超越世界半导体先进封装界所需的技术指标。

目前研究成果已申请台湾发明专利及美国专利，并获多家国内设备厂产学合作与技术移转，盼能让台湾半导体产业的国际优势地位更巩固。

责任编辑：吕美琪