记忆体封测厂力成盘中触低档46.5元，跌逾5%。若以盘中低点来看，力成连2个交易日跌幅逾12%。力成对第4季毛利率采取保守评估策略。

力成今开低走低，盘中最低来到46.5元，大跌逾5.6%，续创波段低点；随后低档整理，跌幅逾5%。若以今日盘中低点来看，力成11月1日迄今跌幅已超过12%。

力成1日收跌停49.3元，三大法人卖超力成4263张，其中外资卖超3300多张。

力成对第4季毛利率采取保守评估策略，需观察产能利用率和雇用员工的学习曲线表现。

力成第3季归属母公司业主净利新台币3.9亿元，大幅季减44.8%，年减31.7%；第3季每股税后盈余0.51元，第2季EPS 0.92元，去年同期EPS 0.73元。

法人表示，力成第3季缺工状况导致招募员工人事成本提高，第3季毛利率下滑，获利表现也受到影响。

展望第4季各产品表现，力成指出，除了标准型记忆体(Commodity DRAM)外，包括快闪记忆体(Flash)等其他业务，可正向看待。

力成持续耕耘高阶逻辑晶片封装。在应用处理器，力成应用处理器月营收可到新台币1亿元，预估到明年第2季营收，可望倍增。

在硅穿孔(TSV)产能布局，力成表示，透过硅穿孔TSV技术，衍生包括晶圆重布线(RDL)和铜柱凸块(Cu Pillar Bump)等产品，目前已经量产，月产能约在8000片，今年12月底月产能可到1万6000片；明年5月月产能可扩充到2万4000片。

在晶圆级封装(WLP)部分，力成表示，到明年1月或2月，晶圆级封装可望损益两平。

在微机电(MEMS)部分，力成表示，MEMS麦克风已量产，今年12月开始放大麦克风产能，随后业绩可呈现数倍成长趋势。