【大澳门威尼斯人赌场官网2月3日报导】因应建置高阶制程产能需求，联电今年资本支出将达12亿至15亿美元，较去年倍增；执行长孙世伟表示，联电不会与同业进入“军备竞赛”，资本支出风险低。

据中央社报导，半导体产业景气复苏，各大半导体厂也纷纷大举调高今年资本支出计划；晶圆代工龙头厂台积电即预估，今年资本支出将达48亿美元，较去年的26.71亿美元大增近8成。

台湾另一晶圆代工大厂联电今天法说会中也宣布，今年资本支出将达12亿至15亿美元，较去年的5.51亿美元增加1.17至1.72倍。

随着各厂大举扩增资本支出，法人忧心明、后年半导体市场恐将面临产能过剩，孙世伟对此指出，联电不会与同业进入军备竞赛；资本支出金额约过去3至4年平均营收的25%，回复至往年水准，因此风险低。

孙世伟说，今年资本支出主要用于建置位于南科12A厂40/45奈米制程产能，及导入28奈米技术研发与试产设备。

他并表示，今年94%的资本支出金额用于12吋厂、6%用于8吋厂；年底12吋厂产能将增加25%，整体产能将增加12%。