【大紀元4月16日報導】(中央社記者張建中新竹16日電)繼儲存型快閃記憶體(NAND Flash)現貨價大漲後，動態隨機存取記憶體(DRAM)現貨價近日也出現強勁反彈走勢，近2日DRAM現貨價共彈升 1成；激勵DRAM族群今天連袂大漲。

根據集邦科技調查，DDR2 1Gb eTT均價15日站上1.1美元後，今天進一步攀高至1.17美元，近2日共大漲10.4%。

集邦科技表示，DRAM現貨價近日強勁彈升，除全球DRAM廠減產效應顯現外，終端市場需求熱絡也是主要原因之一。

業者預期，近期DDR2 1Gb現貨價可望站上1.2美元，甚至不排除有機會挑戰1.5美元製造廠現金成本價位。

隨著DRAM價格強彈，DRAM族群今天連袂大漲，包括力晶、南科、華亞科、華邦電等DRAM製造廠，及勁永、威剛等記憶體模組廠同步強攻漲停，力積、晶豪科及鈺創等記憶體設計公司也連袂漲停。