【大紀元12月13日報導】（中央社記者張建中新竹13日電）台灣DRAM明年市況看俏，業者預期 1Gb顆粒價格可望維持在 2美元以上水準，製造廠若以50奈米製程生產，淨利率可望達 25%，應可超越下游模組廠，轉變為「上肥下瘦」局面。

動態隨機存取記憶體（DRAM）及儲存型快閃記憶體（NAND Flash）產品價格紛紛於去年底觸底彈升；根據集邦科技調查，DDR2 1Gb eTT（有效測試顆粒）均價自低點0.59美元，反彈至2.62美元，大漲3.44倍。

NAND Flash方面，市場主流的16Gb MLC顆粒現貨均價，也自低點1.64美元反彈至5.99美元，上漲2.65倍。

隨著記憶體產品價格大漲，記憶體模組廠受惠於低價庫存效益顯現，今年營運同步好轉，包括創見資訊、威剛科技及勁永國際等模組廠前 3季產品毛利率同步跳升至兩位數水準。

其中，創見及威剛前 3季還同時繳出每股純益逾新台幣 7元的亮麗成績單；勁永前 3季每股純益也達2.84元。

反觀台灣DRAM製造廠，由於生產規模縮小，加上產品價格直至第 4季才突破生產成本，包括南科、華亞科、力晶及茂德等今年前 3季依然無法擺脫毛損的窘境。

今年DRAM業儼然是「下肥上瘦」，業者預期，明年局面應會改觀，DRAM製造廠營運可望顯著好轉，不僅轉盈有望，淨利率還有機會超越下游模組廠，轉變為「上肥下瘦」。

業者表示，DRAM價格11月以來劇烈回檔，DDR2 1GbeTT均價一度跌破 2美元關卡，目前維持在2.3美元左右震盪；預期明年第 1季淡季效應影響下，恐將再度下探2 美元。

明年第 2季DRAM價格又可望回升至2.2至2.5美元水準，業者預期，明年 1Gb顆粒價格應可維持在 2美元以上，製造廠若以50奈米製程生產，每顆成本將約 1.5美元，淨利率逾 25%。

明年DRAM價格走勢預料將趨於平穩，模組廠低價庫存效益勢將大打折扣，進而影響模組廠毛利率恐較今年滑落。

不過，業者指出，在沒有價格劇烈波動風險下，模組廠營運規模若能有效擴大，絕對獲利仍不排除有機會持平或較今年再成長。