【大紀元1月6日報導】(中央社記者張建中新竹6日電)DRAM 與NAND Flash現貨價同步持續反彈，根據集邦科技調查，今年來DDR2 1GbeTT均價上漲5.74%；Flash市場主流的8Gb MLC均價也上漲9.72%。

隨著供應商相繼減產，動態隨機存取記憶體(DRAM)與儲存型快閃記憶體 (NAND Flash)現貨價於去年12月下旬同步觸底反彈。

集邦科技調查，DDR2 1Gb eTT均價已自低點0.59美元彈升至目前的0.92美元，反彈幅度達55.9%；DDR21Gb品牌顆粒現貨均價也自0.58美元彈升至0.78美元，上漲34.5%。

Flash部分，市場主流的8Gb現貨均價自低點的1.03美元彈升至目前的1.58美元，反彈幅度達53.4%；16Gb現貨均價自1.64美元反彈至2.31美元，漲幅40.8%；32Gb現貨均價也反彈16.1%。

儘管DRAM現貨價大幅反彈，不過目前價格仍低於DRAM廠現金成本，因此廠商仍將持續減產，業者預期，第1季下旬可望進一步回升至1美元以上合理價位。

Flash方面，由於製造廠減產效應也將持續發酵，有助於支撐市場價格持穩。