【大紀元5月1日報導】(中央社記者張建中新竹一日電)產業第一季財報效應專題系列五，國內DRAM廠力晶半導體、南科、華亞科技、茂德科技及華邦電子等，繼去年第四季合計虧損新台幣380 億元，今年第一季持續面臨巨額虧損，合計虧損仍達325億元；而DRAM市況依然低迷不振，是造成DRAM廠持續嚴重虧損主因。
包括力晶、南科及華亞科等 3家DRAM廠已陸續公佈第一季自結財報；由於DRAM價格依然低迷不振，包括力晶、南科及華亞科等第一季同時面臨毛損的窘境，毛損率逾39%。
其中，南科及華亞科因第一季產品平均銷售價格較去年第四季再下滑逾 18%，毛損率分別由去年第四季的29.12%及22.24%，進一步擴增至50%及39%。
力晶則因公司製程技術轉進70奈米效益顯現，有助於降低成本，毛損率由去年第四季的 70.96%，降至58% 。
南科第一季稅後淨損 87.83億元，較去年第四季減少22%；華亞科第一季稅後淨損41.82億元，較去年第四季增加14%；力晶第一季稅後淨損97.43億元，較去年第四季減少約31%。
包括力晶、南科及華亞科等 3家DRAM廠，第一季合計虧損達227.08億元，加上茂德第一季虧損80.52億元、華邦電第一季淨損17.59億元，國內5家DRAM廠第一季合計虧損達325.19億元，也難怪力晶董事長黃崇仁於法說會中表示，去年第四季與今年第一季是DRAM產業有史以來最差季度。
不過4月來在DRAM製造廠惜售心態濃厚，加上市場對未來價格上漲的預期心理，激勵DRAM價格急遽反彈，根據集邦科技調查，DDR2 1Gb 667MHz顆粒現貨均價已達2.14美元，4月來漲幅約10.3%；DDR2 1Gb eTT 均價也達2.04美元，4月來漲幅更達20.71%。
力晶看好1Gb現貨價可望維持在2美元至2.5美元水位，南科也醞釀調漲5月合約價1成；隨著產品價格止跌回升，可望有助於DRAM廠虧損縮小，也難怪包括力晶、南科及華亞科等一致認為DRAM產業最壞情況已經過去。
即便根據目前DRAM價格來看，DRAM廠第二季仍恐將難逃虧損窘境，不過下半年旺季來臨，各DRAM廠可望紛紛轉虧為盈；尤其在各DRAM廠今年產能擴增有限情況下，明年DRAM市場能否再度出現供不應求的榮景，則值得期待。
