【大紀元7月12日報導】(中央社記者何易霖新竹十二日電)工業技術研究院電子所今天與力晶半導體、南亞科技、茂德科技、華邦電子4家台灣DRAM廠商簽署新世代相變化記憶體技術與產品合作協定，預計以3年的時間，投入新台幣1.2億元，發展這項極具潛力的記憶體新技術，搶進2008年超過新台幣百億元規模的相變化記憶體產品市場。

簽約儀式由經濟部長何美玥與工研院長李鍾熙見證，電子所所長陳良基與力晶總經理謝再居、南亞科總經理連日昌、茂德副總經理唐亦仙、華邦副總經理林晨曦共同簽訂。

何美玥致詞時表示，台灣記憶體產值2004年達新台幣2300億元，全球市佔率逾 20%，僅次於南韓，是台灣相當重要的電子產業之一，此次 4家台灣主要DRAM廠與工研院簽訂新世代相變化記憶體技術與產品合作協定，開啟台灣記憶體廠商首度合作開發前瞻技術的先例。

何美玥指出，政府一向支持指標性產業，鼓勵業界和學研機構組成研發聯盟，建立下世代前瞻創新產業技術，同時政府也非常樂意提供政策、環境，甚至經費上的協助，期許 4家DRAM廠能藉由這次合作，齊心協力與南韓三星電子抗衡，締造世界第一的佳績。

電子所所長陳良基表示，相變化記憶體 (PhaseChange Memory, PCM,或稱Ovonic UniversalMemory,OUM) 是利用特殊「相變化材料」的一種新興記憶體技術，具有高速度、低耗電、功能強等特性，是最被看好取代當前的DRAM與 FLASH，具有「終極記憶體」架勢的技術與產品。

陳良基指出，目前全球僅有韓國三星、美國 Intel、歐洲STMicroelectronics等廠商投入相變化記憶體研究，但整體技術尚未純熟，也還沒有商品化產品問世；台灣方面，電子所已投入總經費 1.6億元進行相關技術研發。

參與聯合研發的 4家DRAM廠均認為，單一公司要發展下世代的記憶體技術，投入的人力、經費所費不貲，此次合作可有效分散風險，成功的機率與成本效益均相對提高，並有助建立台灣創新研發能力，掌握關鍵技術。

根據協議，未來4家DRAM廠將在3年各自投入3000萬元進行技術研發工作，合計約 1.2億元的資金，進行可攜式電子產品應用開發，預計2007年可望產出百萬位元級相變化記憶體產品，搶進2008年超過百億、2012年成長至逾千億元的市場。