【大紀元6月1日報導】（中央社記者何易霖新竹一日電）半導體製程已邁入奈米世代，業者無不致力於製程微縮，以作為降低成本的方式。不過前台積電研發長、現任國研院董事的胡正明則認為，近10年來半導體技術進步太快，反而造成競爭激烈，如果能稍微放慢腳步，也許有機會改善激烈競爭的狀況，讓業者享有更多的利潤。

胡正明是在今天應國家實驗研究院二週年院慶邀請，以「後矽電子時代的探索」為題進行演說時，發表這項意見。

胡正明指出，1965年至1995年間，半導體業約3年開發一個新製程，當時平均每年半導體業有15%左右的成長幅度，不過近10年來，業者為了製程微縮降低成本，將每個製程世代交替時間縮小為2年左右，雖然製程技術提昇，但半導體業成長的幅度卻衰退到5%左右，而且造成生產過剩、毛利下滑、競爭激烈的狀況。

他認為，如果半導體業者能稍微放慢腳步，將新製程週期回歸過去3至4年的話，將有機會消化過剩產能，也可減少業者大筆的投資金額，增加獲利機會。

面對矽材料可能有的物理極限，胡正明認為，鍺（Ge）將有可能取代矽，成為半導體下一世代的替代材料，台積電也開始應用在矽基板上鍍一層薄薄的鍺，以改善矽材料的極限，不過鍺要完全取代矽，短期之內還不太可能發生。