中國製DUV被稱可製8奈米芯片遭打臉
芯片示意圖。(ShutterStock)
【大紀元2024年09月18日訊】中共工信部9月初公布的「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」，列出全新自製DUV光刻機，分辨率為≤65nm，套刻精度≤8nm。許多人盛傳此款DUV「可生產8奈米芯片」，突破美國封鎖，結果被中國科技媒體打臉。
9月16日，科技媒體「芯智訊」報導，各種關於國產光刻機大突破言論滿天飛，甚至還有人一看到「套刻≤8nm」就認為這是8nm光刻機，令人啼笑皆非。
報導列出工信部公布的數據，並解釋說，氟化氪光刻機其實就是老式的248nm光源的KrF光刻機，分辨率為≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氬光刻機則是193nm光源的ArF光刻機（也被稱為DUV光刻機），但披露的這款依然是乾式DUV光刻機，而非更先進的浸沒式DUV光刻機（也被稱為ArFi光刻機）。
從工信部披露的參數來看，此DUV光刻機解析度為≤65nm，套刻精度≤8nm。雖然相比之前上微的SSA600光刻機有所提升（解析度為90nm），仍並未達到可以生產28奈米芯片的程度，更達不到製造什麼8奈米、7奈米芯片的程度，很多網友把套刻精度跟光刻製造製程節點水平搞混了。
光刻精度主要看的是光刻機的分辨率，65nm的分辨率，那麼單次曝光能夠達到的工藝製程節點大概就在65nm左右。套刻精度則指的是每一層光刻層之間的對準精度。
報導指出，這個65nm的光刻分辨率、套刻精度≤8nm，最多能夠做到55nm製程。大概相當於荷蘭ASML（阿斯麥）公司18年前（2006年）推出的XT:1450的水平。
責任編輯：夏松#
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