【大紀元2015年08月03日訊】大紀元記者林寶雲台灣新竹報導）交通大學研究團隊參與台籍科學家李連忠博士(前中研院研究員)所組成跨國研究團隊，發展出單層二硫化鉬及單層二硒化鎢的完美P-N接面，可望進一步成功解決半導體元件製備的關鍵問題，未來可廣泛應用於極度微小化的電子元件，該項研究成果發表於最新一期國際頂尖期刊 《SCIENCE》中。

現今國際半導體大廠如Intel、台積電及三星等廠商目前最小元件技術落在7 至10奈米 (Technology Nodes)，如何克服製程微縮的難題，並且開發創新材料，將是帶領半導體產業進入下一個新世代的關鍵。

二硫化鉬是繼石墨烯 (註: 2010年物理學諾貝爾獎頒給發現單層石墨烯的英國物理學家們)之後，備受國際科學家關注的層狀材料，單層的二硫化鉬具有約1.9 eV 的直接能隙，以及極佳的電子遷移率 (移動速度)及開關比(註: 高的開關比特性是電子電路穩定操作的必要條件)，可用於未來新型低耗能邏輯電路，將來極有可能成為下一世代的主要元件核心。

李連忠博士是二維材料國際知名學者，於2012年率先全球利用化學氣相沈積法製備出高品質二硫化鉬單層單晶，是繼石墨烯之後二維材料領域的重大突破。今年李連忠博士帶領位於沙烏地國王科技大學之研究小組，與交大教授、中研院研究員，以及日本專業博士等進行跨國大規模合作計畫，研究如何有效控制二維接面的成長，並成功的製作出完美二維P-N 接面，不僅提供科學家新的基礎研究平台，而且極有潛力能應用於未來電子及光電元件中。

在交大、中研院應科中心、科技部自然司尖端晶體材料開發及製作計畫以及跨領域基礎科學研究中心的支持下，於2014年在交大田家炳大樓成立了二維晶體材料實驗室，由李連忠博士與張文豪教授共同主持，張文豪表示這是全世界技術最為領先的二維材料成長研究室，領先國際的旗艦型計劃也在陸續進行中。他歡迎有興趣接受挑戰的年輕學子加入參與最尖端材料及新型光電元件之研究。

責任編輯：呂美琪