【大紀元2015年12月31日訊】（中央社台北31日電）中研院今天表示，中研院士胡正明獲在半導體領域有卓越貢獻，近日榮獲美國「國家技術與創新獎章」，美國總統奧巴馬將於明年1月在白宮頒獎。

「國家技術與創新獎章」是美國白宮於1980年設立，由代表政府和民間傑出人士所組成的獨立委員會向美國總統提名。該獎章是美國科學與創新技術領域最高的榮譽肯定，表彰獲獎者對大幅增進國家競爭力或改善國民生活品質的卓越貢獻。

中研院表示，美國白宮日前宣布「國家技術與創新獎章」獲獎名單，今年共有8人獲獎，其中包含中研院士胡正明，奧巴馬總統將於明年1月白宮頒獎典禮中親自頒授獎項。

胡正明目前是美國加州柏克萊大學教授，曾擔任台灣積體電路公司首任技術長，是半導體領域中的先驅領導者，終身潛心於研發體積更小、耗電更少、性能更強、更可靠的電腦晶片。

中研院表示，胡正明開發的「電腦模擬微電路模式BSIM系列」於1996年成為國際標準，至今仍繼續研究更新，免費供全球使用，以此系列所設計的半導體晶片產值超過數千億美元；而胡正明最新研發的全新「三維FinFET」半導體晶片技術，是50年來半導體的革命性創新，目前已使用於最新的蘋果和三星手機、電腦伺服器等。