【大紀元10月24日報導】（中央社記者陳至中台北24日電）交通大學電子工程系教授荊鳳德開發出超低功耗的電子元件技術，可降低積體電路功率達10倍，未來應用在行動裝置上，可望10天才需要充1次電。

荊鳳德帶領研究團隊開發的「超低功耗快速上升電晶體及單電晶體動態隨機存取記憶體」，登上最近的IEEE Newsletter通訊封面故事，獲得學界重視。

荊鳳德研究團隊結合多項技術，包括以鍺取代傳統的矽，作為電晶體的傳導材料，使電晶體工作電壓從目前的0.7伏特降低至0.35伏特，大幅改善功率。

另外，荊鳳德運用美國普渡大學提出的「負電容電晶體」理論，領先世界第一個開發出成功的電晶體，使用高介電係數氧化鉿鋯的「鐵電效應」，形成等效負電容。

研發團隊指出，上述技術可使電晶體開啟時，電流與電壓都快速上升，降低積體電路功率達10倍之多，也就是說，未來手機等行動裝置，可望10天才需要充1次電。

交大目前正尋求IBM、東芝等企業合作，將研發成果用於實際產品。