【大紀元1月7日報導】（中央社記者林孟汝台北7日電）國研院今天發表製作多功能超級晶片兩項突破性技術，大幅縮小IC堆疊厚度至目前技術的1/150，提升傳輸速度數百倍，效能領先全球。

國家實驗研究院副院長綦振瀛說，未來將技轉給台積電、旺宏等晶圓廠及穿戴式顯示器廠，估計技轉金約新台幣上億元，是國研院截至目前的最高技轉金額。

智慧行動裝置的內部可利用空間有限，但新世代對人機合一的行動裝置要求多功能、可攜式，需具備高頻寬、低耗能特性，所以近年來積體電路（IC）製作，由平面2DIC衍伸出立體結構的3DIC，藉由IC堆疊來縮短訊號傳輸距離，以追求更快的傳輸速度與更低耗能。

IC晶片是由結晶矽及絕緣體構成，目前的技術主要是以「矽穿孔」技術，將兩塊分別製作完成的IC晶片疊放，並以垂直導線連通，距離約為50微米。

國研院奈米實驗室前瞻元件組組長謝嘉民形容，現有的技術就像101大樓只能住一樓跟頂層，且只有一部電梯上下，傳輸速度因距離而變慢。

傳統「積層型3D-IC」技術可在第一片晶片絕緣層上，直接製作第二層結晶矽薄膜及其上IC，但在逾攝氏1000度高溫下，可能會損壞第一層IC。

謝嘉民說，國研院開發出的「奈米級雷射局部加熱法」可以僅加熱第二層結晶矽薄膜，突破這項技製作瓶頸；另外，「奈米超級薄高品質矽薄膜技術」可將結晶矽薄膜磨薄，縮短兩層間的距離，是「矽穿孔」技術50微米的1/150。

他表示，利用這兩項技術，如同上下101大樓可以有多部電梯同時上下，且每一層樓都可以居住，擺放邏輯線路、快取記憶體、動態記憶體、高頻及數位線路等，提升設計彈性及訊號傳輸速率，並減少耗能。

這項領先全球的技術成果已發表於去年底的「國際電子元件會議」，並被選為11篇公開宣傳資料之一，目前正申請美國等5國專利中。