【大紀元1月11日報導】（中央社記者鍾榮峰台北11日電）記憶體大廠美光擴大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產。日月光、力成、南茂、華東等台廠積極布局，今年記憶體封測競爭卡位，勢必激烈。

展望今年，國際記憶體大廠集中資源開發前端製程，包括動態隨機存取記憶體(DRAM)和快閃記憶體(Flash)後段封測可能擴大委外，封測台廠考量自身發展，積極與國際大廠洽商合作。

美光(Micron)去年以20億美元買下日本記憶體大廠爾必達(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。

為進一步整合DRAM封測業務，去年下半年美光著手洽商DRAM後段封測夥伴，計畫在中國大陸西安建立標準型DRAM(Commodity DRAM)封裝產線，配合美光原先在西安設立的DRAM測試廠。

產業人士指出，美光在西安計畫新設DRAM封裝產線，除了業務整合外，也希望穩定自身DRAM封裝與測試產線於同一定點。從市場考量，西安持續提供招商優惠，美光也可就近供應中國大陸市場需求。

產業人士表示，美光計畫擴大委外DRAM後段封裝，以專注開發前端記憶體高階製程，今年整合DRAM後段封測業務，腳步會加快。

法人透露，美光已陸續與日月光、力成、華東、南茂和矽品等封測台廠，洽商在西安合作DRAM封裝產線事宜。

產業人士指出，日月光計畫重回記憶體封測領域，擴大營收規模，日月光與美光雙方合作意願頗高，不排除日月光與美光今年合作DRAM封裝的可能性。

不過法人表示，美光DRAM封裝合作對象尚未定案，目前仍在洽談中。

從封裝設備角度來看，產業人士表示，邏輯晶片和記憶體之間封裝設備大同小異，DRAM封裝產線也多採用打線封裝，彼此可相互支援，加上日月光先前也曾透過日月鴻切入記憶體封測領域，日月光若重回記憶體封裝領域，預估封裝設備機台支出不大。

若日月光布局DRAM記憶體封裝，對南茂、力成和華東記憶體封測台廠將形成激烈競爭壓力。

觀察美光DRAM封裝委外比重，法人預估，其中大約4成到5成由美光自力完成，約2成多委外由南茂封裝，約1成多到2成由力成封裝。

特定封測台廠也曾仔細考慮與美光合作記憶體測試的可能性，測試毛利率較高，而在DRAM後段封裝，台廠沒有太多主動空間。

其他封測台廠考量西安設廠環境、距離與自身發展規劃，對與美光合作DRAM封裝態度相對觀望，但持續關注美光委外DRAM後段封裝的發展態勢。

另一方面，東芝(Toshiba)和晟碟(SanDisk)合資興建的NAND型快閃記憶體(NAND Flash)新廠，預估今年可開始量產採用先進細微化技術的高性能NAND Flash產品。

法人表示，目前東芝NAND型快閃記憶體主要委由力成和艾克爾(Amkor)封測。東芝新廠和既有NAND型快閃記憶體封測委外訂單，包括力成、華東和南茂等，今年積極布局，競爭勢必相當激烈。

產業人士指出，美光也規劃逐步委外釋出位於新加坡NAND型快閃記憶體封測廠的測試業務。目前美光NAND型快閃記憶體測試，除了美光自己測試外，部分也委由力成。若美光計畫擴大釋出測試訂單，力成以及華東也將積極切入。

整體觀察，國際記憶體大廠今年集中火力開發前端製程，進一步整合封測業務，擴大後段封測委外，封測台廠正積極布局，密切觀察局勢發展。今年台廠在記憶體封測領域，競爭卡位態勢將較以往更加激烈。