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南科華亞科調降產出目標

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【大紀元7月21日報導】(中央社記者張建中林口21日電)台塑集團旗下動態隨機取記憶體 (DRAM)廠南科及華亞科同步調降今年位元產出增加目標;其中南科估年增35%,華亞科估增5成,原先南科目標估成長45%、華亞科估成長7至8成。

南科及華亞科今天同步召開法人說明會,華亞科總經理高啟全一開場即表示,因溝槽式製程轉換至堆疊式製程較原預期難,致第 2季表現不如預期。

高啟全指出,在轉換至堆疊式製程時發現生產週期拉長,為改善生產週期,決定提早 2個星期,在 7月16日完成最後一次溝槽式製程投產。

第3季在50奈米製程2Gb DDR3產品效益逐步發酵,高啟全預期,位元產出可望較第2季增加15%,是連續 3季減少後首度回升,營運可望開始好轉。

高啟全說,7月投片量將是谷底,隨後可望逐月回升,預期第4季位元產出可望較第3季倍增;但受到6、7月調降投片量影響,今年位元產出將較去年成長約5成,低於原預期的7至8成。

隨著產出大增,成本有效降低,若產品價格能夠持穩,華亞科今年仍有機會損益兩平。

南科副總經理白培霖表示,隨著50奈米製程比重逐步拉升,位元產出可望逐季增加;預期第3季位元產出可望季增2成,第4季位元產出可望較第3季再成長3成。

受到華亞科調降全年位元產出的影響,南科同步調降今年位元產出目標,修正後目標預期將較去年成長35%,低於原先預期成長45%。

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