【大紀元12月14日報導】(中央社記者張建中新竹14日電)12 月上旬儲存型快閃記憶體 (NAND Flash)合約價出爐，繼11月下旬產品價格止跌回穩後，12月上旬合約價展開反彈走勢，上漲3%至5%。

根據集邦科技調查，12月上旬市場主流的32Gb MLC顆粒合約均價重回5美元關卡之上，達5.22美元，較11月下旬上漲4.82%；32Gb TLC合約均價也重回4美元關卡之上，達4.02美元，上漲3.08%。

集邦科技表示，日本記憶體大廠東芝 (Toshiba)位於三重縣四日市的NAND Flash廠意外跳電，恐將影響明年1、2月NAND Flash產出，市場預期心理是激勵12月上旬NAND Flash合約價彈升的主要動力。

展望未來，集邦科技預期，上半年為傳統淡季，儘管明年第1季NAND Flash市場仍將持續供過於求，不過，因供應商放緩擴產，加上平板電腦、智慧型手機新機種上市助益，可望減緩淡季效應影響。