【大紀元2010年11月17日訊】(大紀元記者宋碧龍台北報導)台灣參與國際團隊研究改善半導體製程有重大突破，清大研究團隊今(17)日表示，利用磊晶層轉移技術，將三五族化合物的光電性質整合到矽基機板上，成功將光與電兩種不同的元件整合，讓現有32奈米半導體製程進入22奈米製程效果，而這項重要的研究成果，登上了國際知名的「自然」期刊上。

隨著台積電宣布40奈米製程已正式量產，目前正積極朝向32奈米量產開發，但半導體已面臨製程微縮極限。清大助理教授闕郁倫今天在國科會召開記者會，發表磊晶層轉移新技術，實現化合物半導體材料絕緣層披覆技術(XOI)，克服問題進入到22奈米的製程。

這項研究由美國加州柏克萊分校電子工程與電腦科學系副教授Ali Javey團隊、美國新墨西哥大學電子與電腦工程系教授Sanjay Krishna團隊，以及闕郁倫團隊共同合作進行。

闕郁倫說，此研究利用磊晶轉層技術，成功將三五族化合物（光電性質），轉移到矽基機版上（電子性質），將兩種不同性質（光電與電子元件）混合，促使新一代新穎內連線技術得以浮現，可將矽技術推向全新方位。

他表示，這項技術由於製程簡單，台積電可用老舊製程300奈米的機台，就可做出22奈米的製程的效果，不需要昂貴精密的機台，加上轉移成本低，對現今高成本的半導體發展可以說是很大的突破。

闕郁倫還表示，這項技術優點為低溫製程、不需任何接合處理，具有高速度的電子遷移速率，為現今半導體速度快100倍左右外，還因為和光電元件整合，具有發光的效果，同時也讓體積縮小…等。

這項技術是一項重大的突破，相關論文已登在11月11日自然期刊（Nature）上。他說，未來這研究將從電子傳輸轉變為光傳輸，利用光的速度比電子快的特性，未來運算速度會更快，儲存容量也更多，將有機會實現光子電腦時代。