【大紀元1月5日報導】（中央社記者張建中台北5日電）爾必達與旗下瑞晶電子今天共同宣布，爾必達今年第1季在瑞晶設立技術研發中心，共同投入下世代40奈米4F平方製程技術開發，初步規劃將投入5000萬至8000萬美元。

DRAM大廠爾必達與瑞晶電子下午的聯合記者會，由瑞晶總經理陳正坤及爾必達技術長五味秀樹共同主持，力晶董事長黃崇仁並未出席，由副總經理譚仲民參加。陳正坤也證實，瑞晶已開始規劃上市（櫃）。

陳正坤表示，由於看好今年動態隨機存取記憶體(DRAM)市況，瑞晶與2家母公司爾必達及力晶決定加碼技術投資。

他說，瑞晶技術研發重點是利用現有設備，減少資本投資，以達到製程技術推進，降低成本；瑞晶決定跳過50奈米，直接切入40奈米世代製程技術。

陳正坤表示，爾必達將在瑞晶設立技術研發中心，預計投入5000萬至8000萬美元開發40奈米4F平方製程技術，初步規劃由爾必達、瑞晶及力晶共組80人左右的研發團隊。

瑞晶計劃今年底前月產8萬片12吋晶圓產能將全面轉進40奈米6F平方製程技術，生產2Gb DDR3產品；陳正坤說，製程轉換資本支出將僅需轉換50奈米的3分之1，約新台幣120億元，至少一半資金可自籌。

陳正坤指出，瑞晶去年總營收295億元，雖然全年仍虧損，不過，去年第4季已單季轉虧為盈。他同時證實，目前瑞晶已開始規劃上市 (櫃)。

「40奈米4F平方製程技術」是「40奈米6F平方製程技術」之後下一世代DRAM製程技術，均可較50奈米製程，大幅減少資本支出。